报告题目：InP基高速电光调制器研究

报告人：邢江浩 博士（清华大学）

报告时间：2023年1月11日（周三）下午5:00

报告地点：光电所二层报告厅

报告摘要：  

      电光调制器是光通信网络与微波光子链路的重要组成部分。不同的应用场景对电光调制器都提出了低半波电压、高调制带宽以及小尺寸的要求。InP基多量子阱马赫—曾德尔调制器具有半波电压低、器件尺寸小以及易于集成等优点，受到极大的重视。目前InP基高速电光调制器面临三方面的挑战：外延结构、电极结构以及电场加载方式。

      针对InP基马赫—曾德尔电光调制器面临的挑战，我们提出新器件结构以解决上述问题。外延结构方面，采用本实验室提出的新型n-i-n外延结构，降低了调制器的微波损耗与光传播损耗。电极结构方面，提出了窄间距GS行波电极结构，在保证良好的阻抗匹配与速度匹配的同时，简化了工艺流程。针对以上两方面，提出并制备了InP基高速n-i-n型电光调制器，调制区长度仅为1mm，电光带宽超过50GHz，半波电压小于1V。

      对于电场加载方式，提出了基于high-k材料的薄膜多量子阱调制器，用钛酸钡材料代替传统InP基调制器的掺杂包层，突破了带宽限制。理论研究表明，调制长度为2mm的器件带宽可达240GHz，半波电压低至1.2V。