基于低维半导体的偏振光探测及图像传感器

报告题目:基于低维半导体的偏振光探测及图像传感器

报 告 人:赵凯 博士(中科院半导体研究所)

报告时间:2021年4月6日(星期二)下午5:00

报告地点:光电所二层报告厅


报告摘要:

基于各向异性半导体材料的宽光谱和超快速光响应偏振光探测器在民用领域具有广泛的应用,近年来备受关注。我们以宽光谱的偏振光探测及图像传感为目标,分别研究了以Sb2S3和-Ga2O3为代表的可见光及紫外日盲区的偏振光探测和成像。其中Sb2S3具有低对称的晶体结构和特殊的电子能带结构,这使得它在可见光及近红外区域具有较强的偏振光探测优势。我们通过硫辅助的物理气相沉积方法制备了Sb2S3纳米线,从实验和理论两方面系统地研究了Sb2S3纳米线的光学,振动和光电各向异性,并探索了Sb2S3纳米线在偏振成像传感领域的应用。同样以-Ga2O3为代表的日盲紫外探测器在偏振光识别和偏振光源检测上表现出优异的性能。

报告人简介:

赵凯博士就读于中国科学院半导体研究所,2014年毕业于武汉科技大学材料物理专业获理学学士,2017年于北京师范大学凝聚态物理专业毕业获理学硕士学位,目前就读于中国科学院半导体研究所,从事低维半导体的各向异性及光电探测研究。