窄线宽半导体激光器的研究进展
报告题目:窄线宽半导体激光器的研究进展
报告人:李宗阳 高级工程师(国家信息光电子创新中心)
报告时间:2025年8月20日(周三)上午10:30
报告地点:光电所二层报告厅
报告摘要:
对于单频激光器来说,激光线宽是一个非常重要的参数。激光的线宽决定了激光的相干性,其中激光相干长度与相干时间均与线宽成反比,而这两个参数又决定了激光进行相干测量和相干通讯的能力。外腔反馈半导体激光器具有结构紧凑、功耗低、可调谐范围大、低成本等优势,逐渐成为业界的选择之一。本报告围绕国家信息光电子创新中心的窄线宽半导体激光器,讨论了激光器温度控制环路噪声分析、大动态范围温度控制技术,在温度稳定情况下,激光器波长漂移在12小时内仅为0.5 pm。此外还介绍了创新中心红外短波长激光器的研究进展。
报告人简介:
李宗阳,男,理学博士,中共党员,中国信息通信科技集团国家信息光电子创新中心高级器件工程师,华中科技大学引力中心博士后,主要的研究领域为光电子器件及其相关技术,窄线宽激光器的研发等。本人以一作或通讯在PRAppl等杂志上发表SCI论文5篇,并主持自然科学基金青年项目,中国博士后基金等项目。
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